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SIHB12N60E-GE3中文资料

  • 大小：213KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫欧 @ 6A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：937pF @ 100V
  • 功率 - 最大：147W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：散装

SIHB12N60E-GE3供应商

更新时间:2023-02-16 22:53:14
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